Samsung 6-cı Nəsil DRAM istehsalına başlayır!

Samsung Electronics şirkəti 6-cı nəsil DRAM istehsalına icazə alıb. Şirkət, inkişaf etdirdiyi və 10 nanometr sinif istehsal texnologiyasından istifadə edərək yaratdığı yeni DRAM-larda testlər zamanı %50 ilə %70 arasında effektivlik göstəricilərinə nail olub. Bu inkişaf, Samsung-un təxminən hər iki ildə yeni nəsil məhsullar təqdim etmək planına uyğundur.

Yeni DRAM texnologiyasının ən əhəmiyyətli tətbiq sahəsi yüksək bant genişliyinə malik yaddaş (HBM) seqmenti olacaq. Samsung 2025-ci ilin ikinci yarısında HBM4 yaddaşının kütləvi istehsalına başlamağı planlaşdırır. Bu prosesdə 6-cı nəsil DRAM texnologiyasından istifadə olunacaq və may ayında təqdim edilən hibrid yapışdırma texnologiyası yaddaşlara daxil ediləcək. Hibrid yapışdırma metodu, istilik müqavimətini azaldarkən, ultrases geniş yaddaş interfeysləri təmin edəcək. Beləliklə, süni intellekt və yüksək performanslı hesablama tətbiqlərinin artan bant genişliyi və effektivlik tələbləri ödəniləcək.

HBM bazarının lider şirkətlərindən biri olan SK hynix, 5-ci nəsil DRAM texnologiyası ilə HBM4 inkişafını davam etdirir və bu ilin mart ayından bəri əsas müştərilərinə HBM4 nümunələrini təqdim edir. Samsung və SK hynix kütləvi istehsal üçün oxşar vaxt cədvəlləri üzrə irəliləyirlər. Samsung üçün qarşıda duran ən vacib addımlardan biri, Nvidia tərəfindən HBM4 yaddaşı üçün aparılan keyfiyyət testlərini uğurla başa çatdırmaqdır. Bu təsdiq, Samsung-un bazarda tədarük həcmini artırması üçün çox vacibdir. Şirkət həmçinin AMD-yə tədarük etdiyi 12 qatlı HBM3E yaddaşı üçün Nvidia-dan keyfiyyət təsdiqi gözləyir.

Samsung-un bu hərəkəti yaddaş texnologiyaları sahəsində rəqabətin intensivləşməsinə və yüksək performanslı və süni intellekt dəstəkli tətbiqlər üçün yaddaş bazarında möhkəm mövqe qurmağa yönəlib.