Huawei Sanksiyalara Qarşı Çıxır: DUV Litoqrafiyası ilə 2nm Çip İstehsalının Sirri

Huawei-nin sanksiyalara rəğmən qabaqcıl çip istehsalına nə qədər ciddi yanaşdığını göstərən maraqlı bir addım ortaya çıxıb. Şirkətin yeni patent ərizəsi yalnız Dərin Ultrabənövşəyi (DUV) litoqrafiya avadanlıqlarından istifadə edərək 2 nanometr (nm) səviyyəli çipləri necə istehsal etməyi təsvir edir. ABŞ-ın ixrac məhdudiyyətləri səbəbindən ASML-in həssas EUV sistemlərinə çıxışı olmayan Huawei, istehsalçı tərəfdaşı SMIC ilə birlikdə mövcud infrastrukturun hüdudlarını zorlayan bir yol müəyyən edib.

Bu iddialı plan 2022-ci ildə patentləşdirilmişdi, lakin sənəd yaxınlarda ictimaiyyətə açıqlanıb və yarımkeçirici sahəsinin tədqiqatçısı Dr. Frederik Çen tərəfindən aşkar edilib. Şirkət bu müraciətində göstərir ki, kənar ölkələrin qadağaları belə onların inkişaf tempini dayandıra bilməz. Yeni texnologiya, şirkətin məhz sanksiyaların yaratdığı təzyiqə cavab olaraq mövcud DUV texnologiyasından maksimum istifadə etmək niyyətini təsdiqləyir. Huawei, həmçinin, bu addımı ilə Çinin yarımkeçirici ekosisteminin xarici asılılığını azaltmaq ölkə hədəfinə dəstək verir.

Sənəddə təsvir edilən naxışlama texnikası Huawei və SMIC-in çip üzərində 21 nm metalloqrafik boşluğa nail olmasına imkan verir. Bu göstərici, hazırda bazarda lider olan TSMC və Samsung kimi nəhənglərin EUV əsaslı 2 nm səviyyəli prosesləri ilə eyni texniki sinifdədir. Huawei-nin yanaşmasının əsasında "Özü-Özünə Uyğunlaşan Dörd Qatlı Naxışlama" (SAQP) prosesinin optimallaşdırılmış versiyası dayanır. Sənayedə oxşar çoxqatlı naxışlama metodları adətən xeyli sayda əlavə məruz qalma (exposure) tələb etsə də, bu yenilik DUV məruz qalmalarının sayını dördə qədər azaldır. Bu sadələşdirilmiş mexanizm şirkətə daha aqressiv naxışlama prosesi aparmaq imkanı verir və DUV infrastrukturunun imkanlarını ən yüksək həddə qədər sıxışdırır. Huawei, bu metodla Kirin 9030 çipində istifadə olunan SMIC-in N+3 prosesini ötüb keçməyi və ən bahalı EUV alətlərinə ehtiyac olmadan birbaşa 2 nm nəslinə keçməyi planlaşdırır.

Baxmayaraq ki, texniki cəhətdən bu həll maraq doğurur, sənaye ekspertləri kommersiya baxımından ehtiyatlı davranırlar. Laboratoriya şəraitində bu cür sıx çoxqatlı naxışlama həyata keçirilə bilsə də, praktikada ciddi çətinliklər yaradır. Ən əsas problemlər arasında istehsal məhsuldarlığının aşağı düşməsi, xətaların riskinin kəskin artması və nəticədə xərclərin yüksəlməsi var. Məhz bu səbəblərdən, aparıcı istehsalçılar 3 nm və daha aşağı proseslərə keçərkən uzun müddətdir ki, daha etibarlı olan tək məruzəli EUV sistemlərini seçirlər. Buna baxmayaraq, əgər Huawei-nin SAQP əsaslı istehsalı kütləvi istehsal həcminə çata bilsə, bu, sanksiyalar şəraitində əhəmiyyətli bir texnoloji sıçrayış olacaq və Çinin qabaqcıl çip istehsalında müstəqilliyə nail olmaq yolunda ciddi bir addımı təşkil edəcək.